بخشی از متن فایل word مقاله خواص الکتريکي و اپتيکي لايه هاي نازک CuCrO2 تهيه شده با روش سل-ژل و تکنيک لايه نشاني چرخشي :
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نوآوری ها در پردازش لایه های نازک و مشخصه های آنها
تعداد صفحات:5
نویسنده(ها):
مرتضی عاصمی – آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, دانشگاه شهید بهشتی, اوین, تهران
داود کلهر – آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, دانشگاه شهید بهشتی, اوین, تهران
آرین گودرزی – آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, دانشگاه شهید بهشتی, اوین, تهران
مجید قناعت شعار – آزمایشگاه نانو مغناطیس و نیمرساناهای مغناطیسی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, دانشگاه شهید بهشتی, اوین, تهران
چکیده:
لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف CuCrO2 با استفاده از روش سل – ژل به همراه لایه نشانی چرخشی روی زیرلایه ی شیشه تهیه شدند.اثر دمای عملیات پیش حرارتی, روی خواص الکتریکی و اپتیکی این نیمرسانای نوع P مورد بررسی قرار گرفت و سپس نمونه ها تحت عملیات حرارتی در خلا در فشار 10 میلی بار قرار گرفتند. میزان تراگسیل نمونه ها در ناحیه نور مرئی حدود 80 درصد, گاف انرژی در حدود 3 الکترون ولت و مقاومت الکتریکی لایه ها از مرتبه مگا اهم است.